VMO60-05F
Modul; einzelner Transistor; 500V; 60A; TO240AA; Idm: 240A; 590W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VMO60-05F
Symbol TME:
VMO60-05F
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 500V | |
Drainstrom | 60A | |
Gehäuse | TO240AA | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 240A | |
Verlustleistung | 590W | |
Technologie | HiPerFET™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 405nC | |
Bereitschaftszeit | 250ns | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VMO60-05FAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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