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VS-50MT060PHTAPBF

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke,Thermistor

Hersteller: VISHAY

Kennzeichnung des Herstellers:
VS-50MT060PHTAPBF
Symbol TME:
VS-50MT060PHTAPBF

Technische Daten

Hersteller
VISHAY
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke, Thermistor
Rückspannung max.
0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom
50A
Gehäuse
MTP
Elektrische Montage
Löten
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
250A
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht66 g
Zertifikate
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VS-50MT060PHTAPBF
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