VS-GT80DA120U
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
VS-GT80DA120U
Symbol TME:
VS-GT80DA120U
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | ||
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Rückspannung max. | 1,2kV | ||
Kollektor-Emitter-Strom | 80A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Gate - Emitter Spannung | ±20V | ||
Kollektorstrom im Impuls | 170A | ||
Technologie | Trench | ||
Eigenschaften von Halbleiterelementen | integrated anti-parallel diode | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* VS-GT80DA120UAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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