VUI30-12N1
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
VUI30-12N1
Symbol TME:
VUI30-12N1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-phase PFC | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 65A | |
Gehäuse | V1-A-Pack | |
Anwendung | Wechselrichter | |
Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Technologie | FRED, NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht50 g
Zertifikate
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* VUI30-12N1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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