WMSC010H12B1P6T
Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 107A; Press-in PCB; Idm: 210A
Hersteller: WeEn Semiconductors
Kennzeichnung des Herstellers:
WMSC010H12B1P6T
Symbol TME:
WMSC010H12B1P6T
Technische Daten
Hersteller | WeEn Semiconductors | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 107A | |
Topologie | MOSFET Halbbrücke, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 210A | |
Verlustleistung | 152W | |
Technologie | SiC | |
Gate-Source Spannung | -4...18V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht20 g
Zertifikate
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* WMSC010H12B1P6TAnzahl Stück (Vielfache: 16)
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