AB2M040120Z
Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolet; 1,2kV; 51A; Idm: 128A; 348W
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Producentens varenummer:
AB2M040120Z
TME-symbol:
AB2M040120Z
Specifikation
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortype | N-MOSFET | |
Teknik | SiC | |
Polaritet | enpolet | |
Dræn-kilde spænding | 1,2kV | |
Drænspænding | 51A | |
Pulserende drain-strøm | 128A | |
Effektdissipation | 348W | |
Kapsling | TO247-4 | |
Gate-kilde spænding | -4...18V | |
Ledemodstand | 40mΩ | |
Montering | THT | |
Gate-ladning | 90nC | |
Type af emballage | rør | |
Type af kanal | beriget | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | Kelvin terminal | |
Anvendelse | bilindustrien |
Bruttovægt1 g
Certifikater
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke
Se andre produkter i denne kategori: N-kanaltransistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* AB2M040120ZAntal stykker (Mangfoldighed: 300)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 300 stk - 3.79 USDBruttopris for mængder fra 300 stk - 4.73 USD