APT40GR120B2D30
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY
Producentens varenummer:
APT40GR120B2D30
TME-symbol:
APT40GR120B2D30
Specifikation
Producent | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Transistortype | IGBT | |
Teknik | NPT, POWER MOS 8® | |
Spænding kollektor - emitter | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 40A | |
Effektdissipation | 500W | |
Kapsling | T-Max | |
Spænding gate - emitter | ±30V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 160A | |
Montering | THT | |
Gate-ladning | 0,21µC | |
Type af emballage | rør | |
Indkoblingstid | 47ns | |
Frakoblingstid | 232ns | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | integrated anti-parallel diode | |
Delens status | Anbefales ikke til nye projekter |
Bruttovægt6.76 g
Certifikater
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-transistorer, THT MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APT40GR120B2D30Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
60 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 27.40 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 34.25 USD
Nettopris for mængder fra 3 stk - 24.51 USDBruttopris for mængder fra 3 stk - 30.63 USD
Nettopris for mængder fra 10 stk - 21.61 USDBruttopris for mængder fra 10 stk - 27.00 USD
Produktet er tilgængeligt, så længe lager haves
Tilbuddet er tilgængeligt for indloggede kunder
Producentens emballeringsmetodeRør = 30 stk