+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

APTM120DA30CT1G

Modul; SiC-diode/transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W


Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY

Producentens varenummer:
APTM120DA30CT1G
TME-symbol:
APTM120DA30CT1G

Specifikation

Producent
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type af halvledermodul
transistor MOSFET
Halvlederstruktur
SiC-diode/transistor
Dræn-kilde spænding
1,2kV
Drænspænding
23A
Kapsling
SP1
Topologi
boost chopper, NTC-termistor
Elektrisk montering
Press-in PCB
Ledemodstand
0,36Ω
Pulserende drain-strøm
195A
Effektdissipation
657W
Teknik
POWER MOS 8®, SiC
Gate-kilde spænding
±30V
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt80 g
Certifikater

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke

Se andre produkter i denne kategori: MOSFET-transistormoduler MICROCHIP TECHNOLOGY,
*
APTM120DA30CT1G
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 12 stk - 84.56 USDBruttopris for mængder fra 12 stk - 105.69 USD
Antal stykker (Mangfoldighed: 12)
Mindste ordremængde: 12.
Mangfoldighed: 12.