B2M035120YP
Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolet; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR
Producentens varenummer:
B2M035120YP
TME-symbol:
B2M035120YP
Specifikation
Producent | BASiC SEMICONDUCTOR | |
Transistortype | N-MOSFET | |
Teknik | SiC | |
Polaritet | enpolet | |
Dræn-kilde spænding | 1,2kV | |
Drænspænding | 60A | |
Pulserende drain-strøm | 190A | |
Effektdissipation | 375W | |
Kapsling | TO247PLUS-4 | |
Gate-kilde spænding | -4...18V | |
Ledemodstand | 35mΩ | |
Montering | THT | |
Gate-ladning | 115nC | |
Type af emballage | rør | |
Type af kanal | beriget | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | Kelvin terminal |
Bruttovægt7.215 g
Certifikater
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke
Se andre produkter i denne kategori: N-kanaltransistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
* B2M035120YP
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Svært tilgængeligt produkt
Nettopris for mængder fra 1 stk - 15.14 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 18.92 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 13.67 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 17.09 EUR
Nettopris for mængder fra 10 stk - 12.04 EURBruttopris for mængder fra 10 stk - 15.05 EUR
Nettopris for mængder fra 30 stk - 10.84 EURBruttopris for mængder fra 30 stk - 13.54 EUR
Producentens emballeringsmetode:Rør = 30 stk