+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

B2M040120H

Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolet; 1,2kV; 48A; Idm: 123A; 333W


Producent: BASiC SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
B2M040120H
TME-symbol:
B2M040120H

Specifikation

Producent
BASiC SEMICONDUCTOR
Transistortype
N-MOSFET
Teknik
SiC
Polaritet
enpolet
Dræn-kilde spænding
1,2kV
Drænspænding
48A
Pulserende drain-strøm
123A
Effektdissipation
333W
Kapsling
TO247-3
Gate-kilde spænding
-4...18V
Ledemodstand
40mΩ
Montering
THT
Gate-ladning
90nC
Type af emballage
rør
Type af kanal
beriget
Bruttovægt1 g
Certifikater

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke

Se andre produkter i denne kategori: N-kanaltransistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B2M040120H
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 3.15 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 3.94 EUR
Nettopris for mængder fra 10 stk - 2.84 EURBruttopris for mængder fra 10 stk - 3.55 EUR
Nettopris for mængder fra 30 stk - 2.51 EURBruttopris for mængder fra 30 stk - 3.14 EUR
Nettopris for mængder fra 120 stk - 2.26 EURBruttopris for mængder fra 120 stk - 2.82 EUR
Nettopris for mængder fra 300 stk - 2.11 EURBruttopris for mængder fra 300 stk - 2.63 EUR
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.