+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

B2M600170H

Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolet; 1,7kV; 5A; Idm: 10A; 75W; TO247-3


Producent: BASiC SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
B2M600170H
TME-symbol:
B2M600170H

Specifikation

Producent
BASiC SEMICONDUCTOR
Transistortype
N-MOSFET
Teknik
SiC
Polaritet
enpolet
Dræn-kilde spænding
1,7kV
Drænspænding
5A
Pulserende drain-strøm
10A
Effektdissipation
75W
Kapsling
TO247-3
Gate-kilde spænding
-4...18V
Ledemodstand
0,6Ω
Montering
THT
Gate-ladning
14nC
Type af emballage
rør
Type af kanal
beriget
Bruttovægt6.2 g
Certifikater

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke

Se andre produkter i denne kategori: N-kanaltransistorer, THT BASiC SEMICONDUCTOR,
*
B2M600170H
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 8.13 DKKBruttopris for mængder fra 1 stk - 10.16 DKK
Nettopris for mængder fra 10 stk - 7.28 DKKBruttopris for mængder fra 10 stk - 9.10 DKK
Nettopris for mængder fra 30 stk - 6.46 DKKBruttopris for mængder fra 30 stk - 8.07 DKK
Nettopris for mængder fra 120 stk - 5.80 DKKBruttopris for mængder fra 120 stk - 7.25 DKK
Nettopris for mængder fra 300 stk - 5.42 DKKBruttopris for mængder fra 300 stk - 6.78 DKK
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.
Producentens emballeringsmetodeRør = 30 stk