+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Registrer dig

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

Databehandling i gang

Din kreditgrænse er overskredet. Din ordre vil blive accepteret, men ikke gennemført. Leveringsplanen vil ikke blive indstillet. Kontakt venligst en TME-medarbejder.

Opgaven blev gennemført med succes.

Der opstod en uventet fejl. Prøv venligst igen.

Producent	BASiC SEMICONDUCTOR
Transistortype	N-MOSFET
Teknik	SiC
Polaritet	enpolet
Dræn-kilde spænding	1,2kV
Drænspænding	127A
Pulserende drain-strøm	360A
Effektdissipation	750W
Kapsling	TO247-4
Gate-kilde spænding	-5...18V
Ledemodstand	13,5mΩ
Montering	THT
Gate-ladning	225nC
Type af emballage	rør
Type af kanal	beriget
Egenskaber af halvlederkomponenter	Kelvin terminal

B3M013C120Z

Transistor: N-MOSFET; SiC; enpolet; 1,2kV; 127A; Idm: 360A; 750W

Specifikation

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. er importør af produkter af dette mærke