+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD1000HFX170P2S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1700V

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD1000HFX170P2S
TME-symbol:
GD1000HFX170P2S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbro
Maks tilbagespænding
1,7kV
Kollektorstrøm
1kA
Kapsling
P2.0
Elektrisk montering
skruet
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
2kA
Teknik
Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt1.21 kg
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD1000HFX170P2S
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 8)
Mindste ordremængde: 8.
Mangfoldighed: 8.
Produkt til specialbestilling