+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD100HFX170C1S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1700V


Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD100HFX170C1S
TME-symbol:
GD100HFX170C1S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbro
Maks tilbagespænding
1,7kV
Kollektorstrøm
100A
Kapsling
C1 34mm
Elektrisk montering
FASTON-stik, skruet
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
200A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt150 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD100HFX170C1S
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 24)
Mindste ordremængde: 24.
Mangfoldighed: 24.
Produkt til specialbestilling