+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Ring til os på +48 42 645 54 44

Registrer dig

Quick Buy Favoritter

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

Databehandling i gang

Din kreditgrænse er overskredet. Din ordre vil blive accepteret, men ikke gennemført. Leveringsplanen vil ikke blive indstillet. Kontakt venligst en TME-medarbejder.

Opgaven blev gennemført med succes.

Der opstod en uventet fejl. Prøv venligst igen.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul	IGBT
Halvlederstruktur	diode/transistor
Topologi	3-fase bro IGBT OE-udgang, 3-fase-diodebro, boost chopper, NTC-termistor
Maks tilbagespænding	1,2kV
Kollektorstrøm	100A
Kapsling	C6 62mm
Elektrisk montering	Press-in PCB
Spænding gate - emitter	±20V
Kollektorstrøm i impulsen	200A
Teknik	Advanced Trench FS IGBT
Mekanisk montering	skruet

GD100PIY120C6SN

Modul: IGBT; diode/transistor; boost chopper,3-fase-diodebro

Specifikation