+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD10PJX65F1S

Modul: IGBT; diode/transistor; boost chopper,3-fase-diodebro

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD10PJX65F1S
TME-symbol:
GD10PJX65F1S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
diode/transistor
Topologi
3-fase bro IGBT OE-udgang, 3-fase-diodebro, boost chopper, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
650V
Kollektorstrøm
10A
Kapsling
F1.1
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
20A
Teknik
Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt24.99 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD10PJX65F1S
19 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 35.08 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 43.85 USD
Nettopris for mængder fra 3 stk - 31.03 USDBruttopris for mængder fra 3 stk - 38.79 USD
Nettopris for mængder fra 10 stk - 27.91 USDBruttopris for mængder fra 10 stk - 34.88 USD
Nettopris for mængder fra 25 stk - 26.05 USDBruttopris for mængder fra 25 stk - 32.56 USD
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.