+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD15PJY120F4S

Modul: IGBT; diode/transistor; boost chopper,3-fase-diodebro

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD15PJY120F4S
TME-symbol:
GD15PJY120F4S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
diode/transistor
Topologi
3-fase bro IGBT OE-udgang, 3-fase-diodebro, boost chopper, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
15A
Kapsling
F4.1
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
30A
Teknik
Advanced Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt28 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD15PJY120F4S
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 42.94 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 53.68 USD
Nettopris for mængder fra 3 stk - 37.97 USDBruttopris for mængder fra 3 stk - 47.46 USD
Nettopris for mængder fra 10 stk - 34.03 USDBruttopris for mængder fra 10 stk - 42.54 USD
Nettopris for mængder fra 25 stk - 31.83 USDBruttopris for mængder fra 25 stk - 39.79 USD
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.