+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Ring til os på +48 42 645 54 44

Registrer dig

Quick Buy Favoritter

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

Databehandling i gang

Din kreditgrænse er overskredet. Din ordre vil blive accepteret, men ikke gennemført. Leveringsplanen vil ikke blive indstillet. Kontakt venligst en TME-medarbejder.

Opgaven blev gennemført med succes.

Der opstod en uventet fejl. Prøv venligst igen.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul	IGBT
Halvlederstruktur	transistor/transistor
Topologi	3-fase-bro IGBT, NTC-termistor
Maks tilbagespænding	650V
Kollektorstrøm	200A
Kapsling	C6 62mm
Elektrisk montering	Press-in PCB
Spænding gate - emitter	±20V
Kollektorstrøm i impulsen	400A
Teknik	Trench FS IGBT
Mekanisk montering	skruet

GD200FFX65C6S

Modul: IGBT; transistor/transistor; 3-fase-bro IGBT; Urmax: 650V

Specifikation