+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD200HFU120C2S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1200V

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD200HFU120C2S
TME-symbol:
GD200HFU120C2S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbro
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
200A
Kapsling
C2 62mm
Elektrisk montering
FASTON-stik, skruet
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
400A
Teknik
NPT Ultra Fast IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt300 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD200HFU120C2S
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 844.60 DKKBruttopris for mængder fra 1 stk - 1 055.75 DKK
Nettopris for mængder fra 3 stk - 745.93 DKKBruttopris for mængder fra 3 stk - 932.41 DKK
Nettopris for mængder fra 12 stk - 669.70 DKKBruttopris for mængder fra 12 stk - 837.12 DKK
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.