+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD450HTY120C7S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro x3; Urmax: 1200V

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD450HTY120C7S
TME-symbol:
GD450HTY120C7S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
IGBT-halvbro x3, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
450A
Kapsling
C7
Elektrisk montering
Press-in PCB, skruet
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
900A
Teknik
Advanced Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt910 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD450HTY120C7S
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 8)
Mindste ordremængde: 8.
Mangfoldighed: 8.
Produkt til specialbestilling