+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD50FFY120C5S

Modul: IGBT; transistor/transistor; 3-fase-bro IGBT; Urmax: 1200V

Produktfamilie

Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD50FFY120C5S
TME-symbol:
GD50FFY120C5S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
3-fase-bro IGBT, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
50A
Kapsling
C5 45mm
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
100A
Teknik
Advanced Trench FS IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt200 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD50FFY120C5S
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 564.34 DKKBruttopris for mængder fra 1 stk - 705.42 DKK
Nettopris for mængder fra 3 stk - 498.57 DKKBruttopris for mængder fra 3 stk - 623.21 DKK
Nettopris for mængder fra 12 stk - 447.73 DKKBruttopris for mængder fra 12 stk - 559.66 DKK
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Mindste ordremængde: 1.
Mangfoldighed: 1.