+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Registrer dig

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

Databehandling i gang

Din kreditgrænse er overskredet. Din ordre vil blive accepteret, men ikke gennemført. Leveringsplanen vil ikke blive indstillet. Kontakt venligst en TME-medarbejder.

Opgaven blev gennemført med succes.

Der opstod en uventet fejl. Prøv venligst igen.

Producent	STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul	IGBT
Halvlederstruktur	transistor/transistor
Topologi	IGBT-halvbro
Maks tilbagespænding	1,7kV
Kollektorstrøm	650A
Kapsling	P1.0
Elektrisk montering	skruet
Spænding gate - emitter	±20V
Kollektorstrøm i impulsen	1,3kA
Teknik	Trench FS IGBT
Mekanisk montering	skruet

GD650HFX170P1S

Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1700V

Specifikation