+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

GD80TLQ120F1S

Modul: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 80A; F1.2


Producent: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Producentens varenummer:
GD80TLQ120F1S
TME-symbol:
GD80TLQ120F1S

Specifikation

Producent
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
transistor/transistor
Topologi
NTC-termistor, vekselretter med 3 niveauer TNPC
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
80A
Kapsling
F1.2
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
160A
Teknik
Advanced Trench FS Fast IGBT
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt26 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler STARPOWER SEMICONDUCTOR,
*
GD80TLQ120F1S
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 25 stk - 40.50 EURBruttopris for mængder fra 25 stk - 50.62 EUR
Antal stykker (Mangfoldighed: 25)
Mindste ordremængde: 25.
Mangfoldighed: 25.