IXBN42N170A
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXBN42N170A
TME-symbol:
IXBN42N170A
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 1,7kV | |
Kollektorstrøm | 21A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 265A | |
Effektdissipation | 313W | |
Teknik | BiMOSFET™ | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | højspændingsprobe | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt36.86 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXBN42N170AAntal stykker (Mangfoldighed: 1)
4 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 37.60 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 47.00 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 33.81 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 42.26 EUR
Nettopris for mængder fra 10 stk - 31.50 EURBruttopris for mængder fra 10 stk - 39.38 EUR
Producentens emballeringsmetodeRør = 10 stk