IXBN75N170
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXBN75N170
TME-symbol:
IXBN75N170
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 1,7kV | |
Kollektorstrøm | 75A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 680A | |
Effektdissipation | 625W | |
Teknik | BiMOSFET™ | |
Egenskaber af halvlederkomponenter | højspændingsprobe | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt37.09 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXBN75N170Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
1 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 98.51 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 123.13 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 88.50 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 110.63 EUR
Nettopris for mængder fra 10 stk - 82.61 EURBruttopris for mængder fra 10 stk - 103.26 EUR
Producentens emballeringsmetodeRør = 10 stk