IXGN50N120C3H1
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 50A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXGN50N120C3H1
TME-symbol:
IXGN50N120C3H1
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 50A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 240A | |
Effektdissipation | 460W | |
Teknik | GenX3™, PT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt37.05 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXGN50N120C3H1Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 42.31 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 52.88 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 38.10 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 47.63 EUR
Nettopris for mængder fra 10 stk - 33.71 EURBruttopris for mængder fra 10 stk - 42.13 EUR
Producentens emballeringsmetodeRør = 10 stk