+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

IXYN100N120B3H1

Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 76A; SOT227B

Dokumentation EN
Produktfamilie

Producent: IXYS

Producentens varenummer:
IXYN100N120B3H1
TME-symbol:
IXYN100N120B3H1

Specifikation

Producent
IXYS
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
en enkelt transistor
Maks tilbagespænding
1,2kV
Kollektorstrøm
76A
Kapsling
SOT227B
Elektrisk montering
skruet
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
480A
Effektdissipation
690W
Teknik
GenX3™, XPT™
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt30 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
*
IXYN100N120B3H1
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 300 stk - 28.70 EURBruttopris for mængder fra 300 stk - 35.88 EUR
Antal stykker (Mangfoldighed: 300)
Mindste ordremængde: 300.
Mangfoldighed: 300.