IXYN82N120C3H1
Modul: IGBT; en enkelt transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 66A; SOT227B
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
IXYN82N120C3H1
TME-symbol:
IXYN82N120C3H1
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | en enkelt transistor | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 66A | |
Kapsling | SOT227B | |
Elektrisk montering | skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 320A | |
Effektdissipation | 500W | |
Teknik | GenX3™, XPT™ | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt37.22 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* IXYN82N120C3H1Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 53.55 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 66.93 USD
Producentens emballeringsmetodeRør = 10 stk