+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Vi vil gerne informere om, at der den 06.09.2026 kl. 08:00 - 11:00 (CEST) kan opstå problemer med adgang til hjemmesiden og onlinebestillinger. Vi undskylder for ulejligheden.

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

MDNA210UB2200PTED

Modul: IGBT; diode/transistor; boost chopper,3-fase-diodebro


Producent: IXYS

Producentens varenummer:
MDNA210UB2200PTED
TME-symbol:
MDNA210UB2200PTED

Specifikation

Producent
IXYS
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
diode/transistor
Topologi
3-fase-diodebro, boost chopper, NTC-termistor
Maks tilbagespænding
1,7kV
Kollektorstrøm
100A
Kapsling
E2-Pack
Elektrisk montering
Press-in PCB
Spænding gate - emitter
±20V
Kollektorstrøm i impulsen
200A
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt100 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
*
MDNA210UB2200PTED
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 28 stk - 130.20 USDBruttopris for mængder fra 28 stk - 162.75 USD
Antal stykker (Mangfoldighed: 28)
Mindste ordremængde: 28.
Mangfoldighed: 28.