MDNA360UB2200PTED
Modul: IGBT; diode/transistor; boost chopper,3-fase-diodebro
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MDNA360UB2200PTED
TME-symbol:
MDNA360UB2200PTED
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | diode/transistor | |
Topologi | 3-fase-diodebro, boost chopper, NTC-termistor | |
Maks tilbagespænding | 1,7kV | |
Kollektorstrøm | 135A | |
Kapsling | E2-Pack | |
Elektrisk montering | Press-in PCB | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 280A | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt100 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MDNA360UB2200PTED
0 i TME-lager
Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
Nettopris for mængder fra 1 stk - 189.10 USDBruttopris for mængder fra 1 stk - 236.38 USD