MG12200D-BN2MM
Modul: IGBT; transistor/transistor; IGBT-halvbro; Urmax: 1,2kV
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MG12200D-BN2MM
TME-symbol:
MG12200D-BN2MM
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | IGBT-halvbro | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 200A | |
Kapsling | Y3-DCB | |
Elektrisk montering | FASTON-stik, skruet | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 400A | |
Teknik | Field Stop, Trench | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt100 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MG12200D-BN2MMAntal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 172.00 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 215.00 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 154.00 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 192.51 EUR
Nettopris for mængder fra 5 stk - 137.00 EURBruttopris for mængder fra 5 stk - 171.25 EUR