MIEB101H1200EH
Modul: IGBT; transistor/transistor; H bro; Urmax: 1,2kV; Ic: 128A
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MIEB101H1200EH
TME-symbol:
MIEB101H1200EH
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | transistor/transistor | |
Topologi | H bro | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 128A | |
Kapsling | E3-Pack | |
Anvendelse | fotovoltaik, motorer | |
Elektrisk montering | Press-in PCB | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 200A | |
Effektdissipation | 630W | |
Teknik | Sonic FRD™, SPT+ | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt10 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MIEB101H1200EHAntal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 169.75 EURBruttopris for mængder fra 1 stk - 212.19 EUR
Nettopris for mængder fra 3 stk - 149.78 EURBruttopris for mængder fra 3 stk - 187.23 EUR
Nettopris for mængder fra 5 stk - 134.80 EURBruttopris for mængder fra 5 stk - 168.50 EUR