MKI100-12F8
Modul: IGBT; diode/transistor; H bro; Urmax: 1,2kV; Ic: 125A; 640W
Producent: IXYS
Producentens varenummer:
MKI100-12F8
TME-symbol:
MKI100-12F8
Specifikation
Producent | IXYS | |
Type af halvledermodul | IGBT | |
Halvlederstruktur | diode/transistor | |
Topologi | H bro | |
Maks tilbagespænding | 1,2kV | |
Kollektorstrøm | 125A | |
Kapsling | E3-Pack | |
Elektrisk montering | Press-in PCB | |
Spænding gate - emitter | ±20V | |
Kollektorstrøm i impulsen | 200A | |
Effektdissipation | 640W | |
Teknik | HiPerFRED™, NPT | |
Mekanisk montering | skruet |
Bruttovægt300 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler IXYS,
* MKI100-12F8Antal stykker (Mangfoldighed: 1)
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 1 stk - 1 689.17 DKKBruttopris for mængder fra 1 stk - 2 111.46 DKK
Nettopris for mængder fra 3 stk - 1 524.74 DKKBruttopris for mængder fra 3 stk - 1 905.93 DKK
Nettopris for mængder fra 5 stk - 1 345.36 DKKBruttopris for mængder fra 5 stk - 1 681.69 DKK