+1 500 000 produkter i udbud

7000 pakker om dagen

+300 000 kunder fra 150 lande

Quick Buy Favoritter
Vogn

Kindly reach out to your market representative. Invite us to an online meeting.

NXH450B100H4Q2F2PG

Modul: IGBT; SiC-diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit

Producent: ONSEMI

Producentens varenummer:
NXH450B100H4Q2F2PG
TME-symbol:
NXH450B100H4Q2F2PG

Specifikation

Producent
ONSEMI
Type af halvledermodul
IGBT
Halvlederstruktur
SiC-diode/transistor
Maks tilbagespænding
1kV
Kollektorstrøm
450A
Anvendelse
til UPS, vekselrettere
Elektrisk montering
Press-Fit
Spænding gate - emitter
±20V
Teknik
SiC
Mekanisk montering
skruet
Bruttovægt100 g
Certifikater
Se andre produkter i denne kategori: IGBT-moduler ONSEMI,
*
NXH450B100H4Q2F2PG
0 i TME-lager
Nettopris for mængder fra 36 stk - 182.13 USDBruttopris for mængder fra 36 stk - 227.66 USD
Antal stykker (Mangfoldighed: 36)
Mindste ordremængde: 36.
Mangfoldighed: 36.