GeneSiC SEMICONDUCTOR

GeneSiC Semiconductor er en amerikansk halvledervirksomhed, der blev grundlagt i 2002. Lige fra begyndelsen har den fokuseret på udvikling, test og produktion af innovative komponenter ved hjælp af den nye siliciumcarbid (SiC)-teknologi. Det er takket være denne ekspertise, at vi nu kan bruge SiC-dioder og -transistorer, der er kendetegnet ved lave tab, høj effektivitet og modstandsdygtighed over for høje driftstemperaturer. Disse løsninger anvendes overalt, hvor forholdene eller kravene overstiger mulighederne for konventionel siliciumteknologi - især i omformere til vedvarende energi, højeffektstyringer, der anvendes inden for industriel automatisering og energiproduktion, samt i militære applikationer og mange andre områder.

I TME-kataloget finder du en række GeneSiC-halvlederkomponenter, der anvender siliciumcarbid-teknologien. Disse omfatter Schottky-dioder (både i THT- og SMD-versioner) med en strømstyrke på op til 50 A (400 A ved maksimal fremadrettet overspændingsstrøm) samt diodemoduler (skruemonteret) med en maksimal fremadrettet strømstyrke på op til 420 A (800 A ved maksimal fremadrettet overspændingsstrøm). Produkter fra denne leverandør, der er tilgængelige hos TME, omfatter også unipolære transistorer, MOSFET-moduler og relaterede komponenter.