A1P50S65M2
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
A1P50S65M2
Símbolo TME:
A1P50S65M2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | |
Topología | medio puente IGBT x3, termistor NTC | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente de colector | 50A | |
Carcasa | ACEPACK™1 | |
Uso | inversor, motores | |
Montaje eléctrico | Press-in PCB | |
Tensión entrada - emisor | ±20V | |
Corriente de colector en impulso | 100A | |
Poder disipado | 208W | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto50 g
Certificados
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* A1P50S65M2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 49.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 59.79 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 48.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 58.50 USD