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A2P75S12M3

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3

El productor: STMicroelectronics

Denominación de fabricante:
A2P75S12M3
Símbolo TME:
A2P75S12M3

Especificación

Fabricante
STMicroelectronics
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
medio puente IGBT x3, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
75A
Carcasa
ACEPACK™2
Uso
inversor, motores
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
150A
Poder disipado
454,5W
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto50 g
Certificados
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A2P75S12M3
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