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APTCV60TLM99T3G

Módulo; diodo/transistor; 600V; 17A; SP3; Press-in PCB; Idm: 75A


El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTCV60TLM99T3G
Símbolo TME:
APTCV60TLM99T3G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET / IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Tensión drenaje-fuente
600V
Corriente del drenaje
17A
Carcasa
SP3
Topología
Inversor de 3 niveles unifase, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
99mΩ
Corriente del drenaje en impulso
75A
Poder disipado
110W
Tecnología
Field Stop, SJ-MOSFET, Trench
Tensión puerta-fuente
±20V
Montaje mecánico
atornillado
Corriente de colector
30A
Peso bruto110 g
Certificados

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APTCV60TLM99T3G
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Multiplicidad: 15.
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