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APTM100H45STG

Módulo; diodo/transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; Ugs: ±30V


El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM100H45STG
Símbolo TME:
APTM100H45STG

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Tensión drenaje-fuente
1kV
Corriente del drenaje
14A
Carcasa
SP4
Topología
puente H + diodos paralelos + diodos en serie, termistor NTC
Montaje eléctrico
atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia
0,54Ω
Corriente del drenaje en impulso
72A
Poder disipado
357W
Tecnología
POWER MOS 7®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto160 g
Certificados

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APTM100H45STG
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Multiplicidad: 7.
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