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APTM120H140FT1G

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 6A; SP1; Press-in PCB; 208W


El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY

Denominación de fabricante:
APTM120H140FT1G
Símbolo TME:
APTM120H140FT1G

Especificación

Fabricante
MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
6A
Carcasa
SP1
Topología
puente H, termistor NTC
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
1,68Ω
Corriente del drenaje en impulso
50A
Poder disipado
208W
Tecnología
POWER MOS 8®
Tensión puerta-fuente
±30V
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto80 g
Certificados

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APTM120H140FT1G
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