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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	500V
Corriente del drenaje	110A
Carcasa	SP6C
Topología	medio puente MOSFET + diodos en serie + diodos paralelos
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia	28mΩ
Corriente del drenaje en impulso	600A
Poder disipado	1,25kW
Tecnología	POWER MOS 7®, SiC
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM50AM24SCG

Módulo; diodo SiC/transistor; 500V; 110A; SP6C; Idm: 600A; 1,25kW

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca