G3R20MT12N
Módulo; transistor individual; 1,2kV; 74A; SOT227B; atornillado
El productor: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Denominación de fabricante:
G3R20MT12N
Símbolo TME:
G3R20MT12N
Especificación
Fabricante | GeneSiC SEMICONDUCTOR | ||
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión drenaje-fuente | 1,2kV | ||
Corriente del drenaje | 74A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Polarización | unipolar | ||
Resistencia en estado de transferencia | 20mΩ | ||
Corriente del drenaje en impulso | 240A | ||
Poder disipado | 365W | ||
Tecnología | G3R™, SiC | ||
Clase de canal | enriquecido | ||
Tensión puerta-fuente | -5...15V | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.39 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules GeneSiC SEMICONDUCTOR,
* G3R20MT12NNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
105 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 47.75 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 57.78 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 45.88 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 55.51 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 45.01 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 54.46 EUR
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und