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Fabricante	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	transistor individual
Tensión drenaje-fuente	1,7kV
Corriente del drenaje	70A
Carcasa	SOT227B
Montaje eléctrico	atornillado
Polarización	unipolar
Resistencia en estado de transferencia	20mΩ
Corriente del drenaje en impulso	300A
Poder disipado	523W
Tecnología	G3R™, SiC
Clase de canal	enriquecido
Tensión puerta-fuente	-5...15V
Montaje mecánico	atornillado

G3R20MT17N

Módulo; transistor individual; 1,7kV; 70A; SOT227B; atornillado

Especificación