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GD200FFX65C6S

Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT


El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD200FFX65C6S
Símbolo TME:
GD200FFX65C6S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Topología
puente trifásico IGBT, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
200A
Carcasa
C6 62mm
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
400A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto300 g
Certificados
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GD200FFX65C6S
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