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GD75MLX65L3S

Módulo: IGBT; diodo/transistor; Inversor de 3 niveles unifase

Familia de productos

El productor: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:
GD75MLX65L3S
Símbolo TME:
GD75MLX65L3S

Especificación

Fabricante
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
Inversor de 3 niveles unifase, termistor NTC
Tensión de retorno máx.
650V
Corriente de colector
75A
Carcasa
L3.1
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Tensión entrada - emisor
±20V
Corriente de colector en impulso
150A
Tecnología
Trench FS IGBT
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto39 g
Certificados
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GD75MLX65L3S
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 54.11 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 65.47 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 4 und - 47.80 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 4 und - 57.84 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 16 und - 42.90 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 16 und - 51.91 EUR
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Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.