IXFN100N50Q3
Módulo; transistor individual; 500V; 82A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN100N50Q3
Símbolo TME:
IXFN100N50Q3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 82A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 49mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 960W | |
Tecnología | HiPerFET™, Q3-Class | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 255nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto35.83 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules IXYS,
* IXFN100N50Q3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 54.26 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 65.65 GBP
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 47.93 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 57.99 GBP
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 43.04 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 52.08 GBP