IXFN102N30P
Módulo; transistor individual; 300V; 86A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN102N30P
Símbolo TME:
IXFN102N30P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 86A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 33mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 250A | |
Poder disipado | 570W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 224nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto36.99 g
Certificados
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* IXFN102N30P
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 27.45 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 33.21 USD
Precio neto para cantidades a partir de 2 und - 26.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2 und - 31.72 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 25.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 30.41 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 23.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 28.25 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 22.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.66 USD