IXFN132N50P3
Módulo; transistor individual; 500V; 112A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN132N50P3
Símbolo TME:
IXFN132N50P3
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 500V | |
Corriente del drenaje | 112A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 39mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 330A | |
Poder disipado | 1,5kW | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 250nC | |
Tiempo de disponibilidad | 250ns | |
Tensión puerta-fuente | ±40V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.28 g
Certificados
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* IXFN132N50P3Número de unidades (Multiplicidad: 1)
276 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 28.36 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 34.31 GBP
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 27.33 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 33.07 GBP
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.31 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 31.83 GBP
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 25.19 GBPPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 30.48 GBP
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und