IXFN170N30P
Módulo; transistor individual; 300V; 138A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN170N30P
Símbolo TME:
IXFN170N30P
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 300V | |
Corriente del drenaje | 138A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 18mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 500A | |
Poder disipado | 890W | |
Tecnología | HiPerFET™, Polar™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 258nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto29.8 g
Certificados
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* IXFN170N30PNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 38.81 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 46.95 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 37.61 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 45.50 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 35.10 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 42.48 EUR
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und