IXFN180N25T
Módulo; transistor individual; 250V; 168A; SOT227B; atornillado
El productor: IXYS
Denominación de fabricante:
IXFN180N25T
Símbolo TME:
IXFN180N25T
Especificación
Fabricante | IXYS | |
Tipo de módulo semiconductor | transistor MOSFET | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión drenaje-fuente | 250V | |
Corriente del drenaje | 168A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Polarización | unipolar | |
Resistencia en estado de transferencia | 12,9mΩ | |
Corriente del drenaje en impulso | 500A | |
Poder disipado | 900W | |
Tecnología | GigaMOS™ | |
Clase de canal | enriquecido | |
Carga de puerta | 364nC | |
Tiempo de disponibilidad | 200ns | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto37.15 g
Certificados
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* IXFN180N25TNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
23 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 27.68 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 33.50 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 22.03 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 26.66 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 19.79 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 23.94 EUR
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 18.54 EURPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 22.43 EUR
Método de envasado por el fabricanteTubo = 10 und